講演者紹介

基調講演 講演者 中村道治 写真

中村 道治なかむら みちはる

(独)科学技術振興機構 理事長

1967年に東京大学大学院理学系研究科(物理)修士課程修了後、(株)日立製作所中央研究所に入所し、Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体デバイスの研究開発に従事。1972年から1年間、カリフォルニア工科大学のヤリフ研究室に客員研究員として滞在。分布帰還形半導体レーザーの先駆的研究や高信頼長波長半導体レーザーの開発に貢献。同社中央研究所長、研究開発本部長、執行役副社長、取締役等を歴任。2011年 10月に(独)科学技術振興機構 理事長に就任し現在に至る。

特別講演 講演者 西山 彰 写真

西山 彰にしやま あきら

(株)東芝 研究開発センター次長

1985年 東京工業大学大学院総合理工科学研究科 修士了。 
株式会社東芝 総合研究所 入社
1993年 オランダ国FOM研究所客員研究員(1994年迄)
1998年 早稲田大学より博士(工学) 学位取得
2006年 株式会社東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリ-室長
2009年より 株式会社東芝研究開発センター 次長
2012年より 株式会社東芝研究開発センター 技監
現在、国立大学法人 東京工業大学大学院総合理工学研究科 連携教授、応用物理学会理事、同学会フェロー、IEEE EDSメンバー

特別講演 講演者 福間 雅夫 写真

福間 雅夫ふくま まさお

半導体産業研究所 代表理事所長

1974年 慶應義塾大学大学院工学研究科計測工学専攻修士課程修了、日本電気(株)入社
1999年 日本電気(株)中央研究所 シリコンシステム研究所長
2001年 日本電気(株)中央研究所 支配人
2006年 NECエレクトロニクス(株) 執行役員
2010年7月より 一般社団法人半導体産業研究所 代表理事所長、現在に至る。
現在、STARC取締役、JEITA半導体部会長代行、JST CREST領域アドバイザー、NEDO技術推進委員会技術委員等を務める。IEEE、応用物理学会会員、工学博士(慶應義塾大学、1986年)

包括報告 講演者 横山 直樹 写真

横山 直樹よこやま なおき

FIRST中心研究者/産総研 連携研究体長

1973年 大阪大学大学院修士課程修了、(株)富士通研究所入社
1984年 大阪大学より工学博士号取得
1991年 (株)富士通研究所 電子デバイス研究部門 機能デバイス研究部長
2000年 (株)富士通研究所 フェロー、ナノテクノロジー研究センター長
2010年 (独)産業技術総合研究所 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター 連携研究体長 兼(株)富士通研究所フェロー、現在に至る。
1987年 GaAs国際シンポジウムYoung Scientist Award受賞、1998年 IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award受賞。IEEE Fellow、電子情報通信学会フェロー、応用物理学会フェロー。

研究報告 講演者 手塚 勉 写真

手塚 勉てづか つとむ

FIRST研究分担者/産総研 (東芝より出向)

1989年 東北大学大学院理学研究科博士課程前期修了、(株)東芝入社
2001年 NEDO半導体MIRAIプロジェクトに参加(ASET協定研究員)
2004年 (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリ- 主任研究員
2008年 NEDO半導体MIRAIプロジェクト 新構造極限CMOSトランジスタ関連技術開発 テーマリーダー
2010年 (独)産業技術総合研究所に出向。FIRSTプログラム研究分担者として、Ge等の高移動度チャネルMOSFETによる低電圧CMOSの研究開発に従事。
応用物理学会賞(奨励賞;1994年)、応用物理学会および日本物理学会会員、博士(工学)。

研究報告 講演者 太田 裕之 写真

太田 裕之おおた ひろゆき

FIRST研究分担者/産総研

1996年 大阪大学大学院 工学研究科 電気工学専攻博士課程修了 博士(工学)。
1996年 科学技術振興事業団特別研究員、2000年 NEDO産業技術研究員。
2001年 (独)産業技術総合研究所入所。半導体MIRAIプロジェクト 高誘電率材料(high-k)ゲートスタック技術グループにて、high-kゲート絶縁膜CMOSの開発に従事。
2008年よりグループリーダ(~2011年3月)。
現在、連携研究体グリーン・ナノエレクトニクスセンターにて、低電圧CMOSテーマ 新動作原理CMOSの研究に従事。

研究報告 講演者 佐藤 信太郎 写真

佐藤 信太郎さとう しんたろう

FIRST研究分担者/産総研 (富士通より出向)

1990年 筑波大学大学院修士課程修了。
2001年 米国ミネソタ大学大学院博士課程修了。Ph.D.。同年6月 富士通(株)入社。
2006年 (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)へ兼務出向、MIRAIプロジェクト・NSIカーボン配線プログラムにおいてカーボンナノチューブ(CNT)のLSI配線ビア応用へ向けた研究開発に従事。
2010年 (独)産業技術総合研究所に出向。研究分担者として、グラフェン、CNTのトランジスタ・配線応用に向けた研究開発に従事。
日本エアロゾル学会 井伊谷賞(2004年)、応用物理学会 優秀論文賞(2011年)

研究報告 講演者 二瓶瑞久 写真

二瓶瑞久にへい みずひさ

FIRST研究分担者/産総研 (富士通より出向)

1992年 東北大学大学院修士課程修了。富士通(株)入社。
2006年 東北大学大学院博士課程修了。工博。
2006年 (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)へ兼務出向、MIRAIプロジェクト・NSIカーボン配線プログラムにおいてCNTのLSI配線ビア応用へ向けた研究開発に従事。
2010年 産総研に出向し、最先端研究開発支援プログラム(FIRST)研究分担者として、CNT/グラフェンの排熱応用へ向けた研究開発に携わっている。

研究報告 講演者 畠 賢治 写真

畠 賢治はた けんじ

FIRST研究分担者/産総研

1996年 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程修了(工学博士)。
1995年 日本学術振興会特別研究員、ハーバード大学化学生物学科ポストドクターを経て2003年 (独)産業技術総合研究所ナノカーボン研究センターナノカーボンチーム入所。
現在、(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター 上席研究員 兼 スーパーグロースCNT用途開発チーム研究チーム長。
2010年第6回日本学術振興会賞、2010年第6回日本学士院学術奨励賞

研究報告 講演者 新谷 俊通 写真

新谷 俊通しんたに としみち

FIRSTサブテーマリーダ/産総研 (日立製作所より出向)

1990年 慶應義塾大学理工学部物理学科卒業。
1992年 慶應義塾大学理工学研究科物質科学専攻修士課程修了、(株)日立製作所中央研究所入所。光記録技術として、近接場光を用いた相変化記録、相変化光ディスク、相変化材料を用いた超解像光ディスクの研究開発に従事。
2009年から相変化デバイスの材料研究開発に従事。
2003年及び2005年、相変化シンポジウム(PCOS)のBest Paper Award受賞。

研究報告 講演者 富永 淳二 写真

富永 淳二とみなが じゅんじ

FIRST研究分担者/産総研

1991年 英国クランフィールド工科大学博士課程修了、PhD (材料科学)。
TDK(株)開発研究所研究員、工業技術院次世代光基盤研究グループ長、産業技術総合研究所次世代光工学研究ラボ長(2001年~2003年)、近接場光応用工学研究センター長(2003年~2009年)を経て、現ナノエレクトロニクス研究部門主席研究員。
専門は物理化学、材料科学、相変化メモリ、近接場光応用材料。
2000年日本IBM科学賞(エレクトロニクス部門)。米国光学会(OSA)フェロー。