ポスター

低電圧動作CMOS

番号 タイトル/所属/発表者
MOS-1

高移動度(111)B面をチャネルに有する三角形状InGaAs-OI nMOSFET

産総研 GNC : 入沢 寿史
MOS-2

高移動度InGaAs/GeデュアルチャネルCMOSの3次元積層集積

産総研 GNC : 小田 穣
MOS-3

3D-IC向けpoly-Ge junctionless p-&n-MISFETs

産総研 GNC : 鎌田 善己
MOS-4

プラズマ酸化GeOx 界面層挿入によるひずみGe ナノワイヤMOSFETの移動度およびカットオフ特性の改善

産総研 GNC : 池田 圭司
MOS-5

Ge(100) 基板上Ni/Sn層の熱処理による低コンタクト抵抗エピタキシャルNiGe/nGe形成

産総研 GNC : 小池 正浩
MOS-6

エピタキシャルn+-Ge:Pのドーパント活性化率向上と接触抵抗低減によるGe-nMISFETの電流駆動力増大

産総研 GNC : 守山 佳彦
MOS-7

酸化物半導体を用いた新規トンネルトランジスタの提案

産総研 GNC : 田邊 顕人
MOS-8

トンネルトランジスタの特性ばらつき挙動の解析

産総研 GNC : 右田 真司
MOS-9

合成電界効果により性能向上させた2層構造 Tunnel FinFETの開発

産総研 GNC : 森田 行則
MOS-10

Ge1-xSnx/Ge微細構造を用いた局所歪の形成と結晶物性評価

名古屋大学 : 池 進一
MOS-11

NiGe/Geコンタクトの結晶構造および界面電気伝導特性の制御

名古屋大学 : Deng Yunsheng
MOS-12

Highly scalable La2O3/InGaAs gate stack with low interface state density

東京工業大学 : Dariush Hassan Zadeh
MOS-13

La2O3 gate dielectrics for InGaAs channel using ALD process

東京工業大学 : 大嶺 洋
MOS-14

液浸ラマン分光法による高Ge濃度SiGeの定量歪測定

明治大学 : 小瀬村 大亮
MOS-15

微細構造歪SiGe層に生じる応力緩和分布の高空間分解能評価

明治大学 : 富田 基裕
MOS-16

Al2O3挿入層を有する貼り合わせGeOI基板の作製と電気特性評価

大阪大学 : 吉田 啓資
MOS-17

タイプII型へテロ構造をソースとする縦型トンネルFETのメサ幅依存性

東京工業大学 : 宮本 恭幸
MOS-18

Snを用いた多結晶Ge薄膜の低温結晶化

名古屋大学 : 黒澤 昌志
MOS-19

ナノスケールヘテロ接合の形成とデバイス特性

物質・材料研究機構 : 佐久間 芳樹

ナノカーボン材料の開発と応用

番号 タイトル/所属/発表者
NCB-1

低抵抗グラフェン微細配線の電気特性

産総研 GNC : 近藤 大雄
NCB-2

スパッタアニール法による多層グラフェン配線とインプラント法によるカーボンナノチューブプラグの接合

産総研 GNC : 佐藤 元伸
NCB-3

ボトムアップ的手法によるグラフェンナノリボン形成

産総研 GNC :山口 淳一
NCB-4

自己集積化膜による二層グラフェンの分子ドーピング

産総研 GNC : 山田 綾香
NCB-5

CNT/グラフェンの排熱応用

産総研 GNC : 川端 章夫
NCB-6

半導体CNTの選択的成長技術開発

産総研 GNC : 桜井 俊介
NCB-7

二次元原子膜における電荷およびスピン輸送

物質・材料研究機構 : 小松 克伊
NCB-8

Charge injection mechanism at vertically stacked graphene-based heterostructures

物質・材料研究機構 : Yen-Fu Lin
NCB-9

高圧酸素アニールによる2層グラフェン上Y2O3トップゲートの超耐圧化

東京大学 : 長汐 晃輔
NCB-10

有機化学合成によるナノカーボン材料形成に関する研究

奈良先端科学技術大学院大学 : 青竹 達也
NCB-11

ALD絶縁膜を用いたInSb二次元系のゲート制御

東北大学 : 関根 和希
NCB-12

グラフェンのバンドギャップ制御に関する第一原理計算

(株)富士通研究所 : 實宝 秀幸
NCB-13

超強磁場下光透過測定によるCVDグラフェンのランダウ準位構造の同定

東京大学 : 齋藤 宏晃
NCB-14

Cu-CVDグラフェン生成系におけるC-C結合反応に関する第一原理的解析

物質・材料研究機構 : 田島 暢夫
NCB-15

ナノリボンのボトムアップ成長に関する第一原理解析

物質・材料研究機構 : 金子 智昭
NCB-16

光電子制御プラズマCVDによるダイヤモンド薄膜の低温・低電力合成

東北大学 : 小川 修一
NCB-17

放射光分光法によるカーボンナノチューブの高密度成長メカニズムの解明

高輝度光科学研究センター : 高嶋 明人
NCB-18

ナノカーボン放熱構造のNumerical解析とフォノン輸送のモンテカルロ解析

慶應義塾大学 : 川邊 徹平

バックエンドデバイス(相変化新材料開発)

番号 タイトル/所属/発表者
PCM-1

GeTe/Sb2Te3の非熱的記録メカニズムの検証

産総研 GNC : 新谷 俊通
PCM-2

SnTe/Sb2Te3超薄膜超格子の電力と動作メカニズム

産総研 GNC : 添谷 進
PCM-3

超格子型相変化メモリとそのトポロジカル絶縁性を利用した新しい磁気メモリへの展開

産総研 GNC : 富永 淳二
PCM-4

フェムト秒レーザーパルスによるGeTeにおけるアモルファス/結晶周期構造の自己組織的形成

慶應義塾大学 : 森本 悠介