最先端研究開発支援プログラム採択課題

2013年 成果報告会 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発

講演者紹介

久間 和生(きゅうま かずお)

基調講演

講演者 久間和生

三菱電機(株) 元 執行役副社長

  • 1977年 東京工業大学大学院博士課程修了(工学博士)、三菱電機(株)入社
  • 2003年 先端技術総合研究所所長
  • 2006年 常務執行役開発本部長
  • 2010年 専務執行役半導体・デバイス事業本部長
  • 2011年 執行役副社長
  • 2012年 常任顧問

2013年3月より内閣府総合科学技術会議議員、三菱電機(株)非常勤顧問。
IEEE、米国光学会、応用物理学会、電子情報通信学会、計測自動制御学会のフェロー。

横山 直樹(よこやま なおき)

包括報告

講演者 横山 直樹

FIRST中心研究者/産総研 連携研究体長

  • 1973年 大阪大学大学院修士課程修了、(株)富士通研究所入社
  • 1984年 大阪大学より工学博士 学位授与
  • 1999年 (株)富士通研究所 基盤技術研究所 主席研究員
  • 2000年 (株)富士通研究所 フェロー、ナノテクノロジー研究センター長
  • 2010年 (独)産業技術総合研究所 連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター 連携研究体長 兼(株)富士通研究所フェロー、現在に至る。

1987年 GaAs国際シンポジウムYoung Scientist Award受賞、1998年 IEEE Morris N. Liebmann Memorial Award受賞。IEEE Fellow、電子情報通信学会フェロー、応用物理学会フェロー。

財満 鎭明(ざいま しげあき)

技術講演

講演者 財満 鎭明

名古屋大学 教授

  • 1982年 東北大学大学院博士後期課程修了、豊橋技術科学大学助手
  • 1986年 名古屋大学工学部講師、1989年同助教授
  • 1997年 名古屋大学先端技術共同研究センター教授
  • 2004年 名古屋大学大学院工学研究科教授

現在、名古屋大学大学院工学研究科結晶材料工学専攻教授。2012年より名古屋大学総長補佐(産学官連携推進担当)および産学官連携推進本部副本部長。応用物理学会フェロー、日本表面科学会フェロー。

竹内 健(たけうち けん)

招待講演

講演者 竹内 健

中央大学 教授

  • 1993年~2007年 (株)東芝にてNANDフラッシュメモリの研究開発に従事、6度にわたり、世界最大容量のフラッシュメモリの商品化に成功。
  • 2007年 東京大学工学系研究科電気系工学専攻 准教授
  • 2012年 中央大学理工学部電気電子情報通信工学科 教授

現在、ストレージ・クラス・メモリ、3次元LSI回路、極低電力SRAM、SSDメモリシステムなどを研究。登録特許は米国特許110件を含む世界で210件。
ISSCC2007にてTakuo Sugano Award受賞。2003年にスタンフォード大学経営大学院にてMBA取得。

角嶋 邦之(かくしま くにゆき)

研究報告

講演者 角嶋 邦之

東京工業大学 准教授

  • 2004年 東京大学工学系研究科電気工学専攻博士課程修了 博士(工学)。日本学術振興会特別研究員(PD)を経て
  • 2005年2月 東京工業大学大学院総合理工学研究科電子機能システム専攻助手。
  • 2011年1月 物理電子システム創造専攻准教授。

マイクロマシン、半導体デバイスの研究に従事。主に異種材料の界面制御技術を行っている。
2004年 電気学術振興賞-論文賞(電気学会)受賞。

長汐 晃輔(ながしお こうすけ)

研究報告

講演者 長汐 晃輔

東京大学 准教授

  • 1997年 京都大学工学部卒業。1999年 日本学術振興会 特別研究員(DC1)。
  • 2002年 東京大学大学院工学系研究科博士課程修了。
  • 2002年 日本学術振興会 海外特別研究員(米国スタンフォード大学)。
  • 2003年 宇宙科学研究所 助手。
  • 2007年 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻 講師、2011年 准教授。

半導体や機能性酸化物等の結晶成長の研究に従事した後、グラフェンの電子輸送特性の研究を開始、電子デバイス応用目指す。
応用物理学会、日本金属学会、MRS、IEEE-EDS会員。

手塚 勉(てづか つとむ)

研究報告

手塚 勉

FIRST研究分担者/産総研 (東芝より出向)

  • 1989年3月 東北大学大学院博士課程前期修了、(株)東芝入社
  • 2001年8月 NEDO半導体MIRAIプロジェクトに参加(ASET協定研究員)
  • 2004年7月 (株)東芝 研究開発センター LSI基盤技術ラボラトリ- 主任研究員
  • 2008年7月 NEDO半導体MIRAIプロジェクト 新構造極限CMOSトランジスタ関連技術開発 テーマリーダー

2010年6月 (独)産業技術総合研究所に出向。FIRSTプログラム研究分担者として、Ge等の高移動度チャネルMOSFETによる低電圧CMOSの研究開発に従事。
応用物理学会賞(奨励賞;1994年)、応用物理学会および日本物理学会会員、博士(工学)。

太田 裕之(おおた ひろゆき)

研究報告

講演者 太田 裕之

FIRST研究分担者/産総研

  • 1996年 大阪大学大学院 工学研究科 電気工学専攻博士課程修了 博士(工学)。
  • 1996年 科学技術振興事業団特別研究員、2000年 NEDO産業技術研究員。
  • 2001年 (独)産業技術総合研究所入所。半導体MIRAIプロジェクト 高誘電率材料(high-k)ゲートスタック技術グループにて、high-kゲート絶縁膜CMOSの開発に従事。
  • 2008年よりグループリーダ(~2011年3月)。

現在、連携研究体グリーン・ナノエレクトニクスセンターにて、低電圧CMOSテーマ 新動作原理CMOSの研究に従事。

佐藤 信太郎(さとう しんたろう)

研究報告

講演者 佐藤 信太郎

FIRST研究分担者/産総研 (富士通より出向)

  • 1990年 筑波大学大学院修士課程修了。
  • 2001年 米国ミネソタ大学大学院博士課程修了。Ph.D.。同年6月 富士通(株)入社。
  • 2006年 (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)へ兼務出向、MIRAIプロジェクト・NSIカーボン配線プログラムにおいてカーボンナノチューブ(CNT)のLSI配線ビア応用へ向けた研究開発に従事。

2010年 (独)産業技術総合研究所に出向。研究分担者として、グラフェン、CNTのトランジスタ・配線応用に向けた研究開発に従事。日本エアロゾル学会 井伊谷賞(2004年)、応用物理学会 優秀論文賞(2011年)

二瓶 瑞久(にへい みずひさ)

研究報告

講演者 二瓶瑞久

FIRST研究分担者/産総研 (富士通より出向)

  • 1992年 東北大学大学院修士課程修了。富士通(株)入社。
  • 2006年 東北大学大学院博士課程修了。工博。
  • 2006年 (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)へ兼務出向、MIRAIプロジェクト・NSIカーボン配線プログラムにおいてCNTのLSI配線ビア応用へ向けた研究開発に従事。

2010年 産総研に出向し、最先端研究開発支援プログラム(FIRST)研究分担者として、CNT/グラフェンの排熱応用へ向けた研究開発に携わっている。

畠 賢治(はた けんじ)

研究報告

講演者 畠 賢治

FIRST研究分担者/産総研

  • 1996年 東京大学大学院工学系研究科物理工学専攻博士課程修了(工学博士)。
  • 1995年 日本学術振興会特別研究員、ハーバード大学化学生物学科ポストドクターを経て2003年 (独)産業技術総合研究所ナノカーボン研究センターナノカーボンチーム入所。

現在、(独)産業技術総合研究所 ナノチューブ応用研究センター 上席研究員 兼 スーパーグロースCNT用途開発チーム研究チーム長。
2010年第6回日本学術振興会賞、2010年第6回日本学士院学術奨励賞

新谷 俊通(しんたに としみち)

研究報告

講演者 新谷 俊通

FIRSTサブテーマリーダ/産総研 (日立製作所より出向)

  • 1990年 慶應義塾大学理工学部物理学科卒業。
  • 1992年 慶應義塾大学理工学研究科物質科学専攻修士課程修了、(株)日立製作所中央研究所入所。光記録技術として、近接場光を用いた相変化記録、相変化光ディスク、相変化材料を用いた超解像光ディスクの研究開発に従事。
  • 2009年から相変化デバイスの材料研究開発に従事。

2003年及び2005年、相変化シンポジウム(PCOS)のBest Paper Award受賞。

富永 淳二(とみなが じゅんじ)

研究報告

講演者  富永 淳二

FIRST研究分担者/産総研

  • 1991年 英国クランフィールド工科大学博士課程修了、PhD (材料科学)。
  • TDK(株)開発研究所研究員、工業技術院次世代光基盤研究グループ長、産業技術総合研究所次世代光工学研究ラボ長(2001年~2003年)、近接場光応用工学研究センター長(2003年~2009年)を経て、現ナノエレクトロニクス研究部門上席研究員。

専門は物理化学、材料科学、相変化メモリ、近接場光応用材料。2000年日本IBM科学賞(エレクトロニクス部門)。米国光学会(OSA)フェロー。