最先端研究開発支援プログラム採択課題

2013年 成果報告会 グリーン・ナノエレクトロニクスのコア技術開発

ポスター発表リスト

低電圧動作CMOS

新材料・新構造CMOS技術の研究開発

番号 タイトル/発表者 所属
PM-1 ひずみGeナノワイヤpMOSFETにおける高移動度・高電流駆動力実証

池田圭司 、小野瑞城、臼田宏治、小田 穣、上牟田雄一、入沢寿史、守山佳彦、手塚 勉

産総研GNC
PM-2 高移動度Tri-gate InGaAs junctionless nMOSFETの作製と動作実証

入沢寿史、小田 穣、守山佳彦、池田圭司、 三枝栄子、W.Jevaswan、
前田辰郎、市川 麿*、石原敏雄*、秦 雅彦*、手塚 勉

産総研GNC/
住友化学*
PM-3 薄膜埋め込み酸化膜Ge-on-Insulator pMOSFETの1V以下のバックバイアスによるしきい値電圧変調

守山佳彦、池田圭司、小野瑞城、上牟田雄一、入沢寿史、鎌田善己、手塚 勉

産総研GNC
PM-4 ひずみGeチャネル立体微細FETのための金属/Geコンタクト界面物性評価

池進一、守山佳彦*、黒澤昌志、田岡紀之、中塚理、今井康彦**、木村滋**、手塚勉*、財満鎭明

名古屋大/
産総研GNC*/
JASRI**
PM-5 液浸ラマン分光法による歪SiGeの異方性応力評価
Evaluation of Anisotropic Biaxial Stress States in Strained SiGe by Oil-Immersion Raman Spectroscopy

小瀬村大亮、富田基裕、臼田宏治*、手塚 勉*、小椋厚志

明治大/
産総研GNC*
PM-6 電子線後方散乱回折および超解像ラマンを用いた歪SiGeメサ構造における高空間分解応力評価
High-Spatial Resolution Stress Measurements in Mesa-Shaped Strained SiGe by EBSP and Super-Resolution Raman

富田基裕、小瀬村大亮、臼田宏治*、手塚 勉*、小椋厚志

明治大/
産総研GNC*
PM-7 希土類系高誘電体薄膜を中心としたIII-V族化合物半導体基板用絶縁膜の探索的研究
-La2O3ゲート絶縁膜で低界面準位密度と耐熱性の実現-

角嶋邦之、大嶺 洋、鈴木佑哉、D.Zadeh、岩井 洋

東京工業大

新動作原理CMOSデバイスの研究開発

番号 タイトル/発表者 所属
PM-8 TFETのコンパクトモデル

福田浩一、森 貴洋、水林 亘、森田行則、田邊顕人、昌原明植、安田哲二、右田真司、太田裕之

産総研GNC
PM-9 縦方向トンネルによる電流増倍機構をもつトンネルFETの形成

森田行則、森 貴洋、右田真司、水林 亘、田邊顕人、福田浩一、昌原明植、太田裕之

産総研GNC
PM-10 低電圧動作デバイスを目指した極短チャンネルトランジスタの開発

右田真司、森田行則、昌原明植、太田裕之

産総研GNC

ナノカーボン材料の開発と応用

グラフェンの合成とトランジスタ応用

番号 タイトル/発表者 所属
PC-1 デュアルゲート構造とヘリウムイオン照射チャネルを有するグラフェントランジスタの極性可変動作

中払 周、飯島智彦、小川真一、塚越一仁*、佐藤信太郎、横山直樹

産総研GNC/
NIMS*
PC-2 多層グラフェンの合成と配線への応用

近藤大雄、中野美尚、周 波、久保田一郎、高橋 慎、佐藤元伸、八木克典、林賢二郎、佐藤信太郎

産総研GNC
PC-3 CVD法によるグラフェン、グラフェンナノリボンの合成

林 賢二郎、近藤大雄、八木克典、山田綾香、佐藤信太郎

産総研GNC
PC-4 グラフェンスピントロニクスデバイス
~最長スピン伝導距離とスピンロジックデバイスを目指して~

小松克伊、葛西伸哉、高橋有紀子、渡邊賢司、谷口 尚、中払 周、塚越一仁

NIMS
PC-5 制御成長グラフェンの基礎特性評価と特性向上のための研究

Wenwu Li、Song-Lin Li、Katsuyoshi Komatsu、Minoru Osada、
Takayoshi Sasaki、Kazuhito Tsukagoshi

NIMS
PC-6 グラフェン/金属界面の理解と制御

長汐 晃輔

東京大学
PC-7 有機化学合成によるナノカーボン材料形成に関する研究

田中和樹、勝田修平、荒谷直樹、山田容子

奈良先端大
PC-8 第一原理計算によるグラフェン・デバイスの低接触抵抗への設計指針

金子智昭、大野隆央

NIMS
PC-9 エッジ修飾されたアームチェア型グラフェンナノリボンの第一原理計算

實宝秀幸、大淵真理

富士通研究所
PC-10 Low-Temperature Magneto-Transport Characteristics of CVD Graphene

N.Abe, Y.Hirayama, K.Nagase, A.Yamada*, K.Hayashi*, S.Sato*, N.Yokoyama*

東北大学/
産総研GNC*
PC-11 石英上CVDグラフェンの超強磁場下でのサイクロトロン共鳴

中村大輔、斎藤宏晃、Zhou Weihang、松田康弘、嶽山正二郎、
八木克典*、林賢二郎*、佐藤信太郎*

東京大学/
産総研GNC*

CNT/グラフェンの排熱応用

番号 タイトル/発表者 所属
PC-12 CNT/グラフェンの排熱応用

川端章夫、村上 智、二瓶瑞久

産総研GNC
PC-13 排熱の高効率化に向けた炭素薄膜形成技術の開発

小川修一、川田麻由梨、尾白佳大、高桑雄二

東北大学
PC-14 配線・排熱用カーボン材料の評価

高嶋明人、泉 雄大、小嗣真人、大河内拓雄、池永英司、室隆桂之、
川端章夫*、村上 智*、二瓶瑞久*、横山直樹*

SPring-8/
産総研GNC*
PC-15 ナノカーボン材料の熱伝導とフォノンエンジニアリングのための理論的研究

大木秀祐、川邊徹平、三澤太一、粟野祐二

慶應大学

CNTの合成とデバイス応用

番号 タイトル/発表者 所属
PC-16 半導体CNTの選択的成長技術開発

桜井俊介、山田真保、中村紘子、畠 賢治

産総研GNC

バックエンドデバイス(相変化新材料開発)

番号 タイトル/発表者 所属
PB-1 SnTe/Sb2Te3超格子の結晶構造解析と動作メカニズム

添谷 進、小高貴浩、新谷俊通

産総研GNC
PB-2 SnTe/Sb2Te3超格子の電気特性

新谷俊通、添谷 進、小高貴浩

産総研GNC
PB-3 フェムト秒レーザによる超格子相変化材料の光学スイッチング

新谷俊通*、北村成章、斎木敏治

慶應大学/
産総研GNC*
PB-4 フェムト秒レーザパルスによって形成されたGeSbTeアモルファス相の多角的物性・構造評価

森田貴紀、北村成章、勝又洋介、新谷俊通* 、斎木敏治

慶應大学/
産総研GNC*
PB-5 Band Structures of Bi2Te3 Topological Insulator Systems

Jan Richter

産総研GNC
PB-6 Band Structures of GeTe/Sb2Te3 and SnTe/Sb2Te3 Phase-change Superlattices

Junji Tominaga

産総研GNC